1、光陷阱結構。一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達到10%以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應等離子蝕刻技術(shù)(RIE)，該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶向無(wú)關(guān)，適用于較薄的晶硅太陽(yáng)能板。
2、減反射膜。它的基本原理是位于介質(zhì)和電池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光產(chǎn)生的各級反射相互間進(jìn)行干涉從而完全抵消。在制好絨面的電池表面上蒸鍍減反射膜后可以使反射率降至2%左右。
3、鈍化層：鈍化工藝可以有效地減弱光生載流子在某些區域的復合。一般高效太陽(yáng)電池可采用熱氧鈍化、原子氫鈍化，或利用磷、硼、鋁表面擴散進(jìn)行鈍化。熱氧鈍化是在電池的正面和背面形成氧化硅膜，可以有效地阻止載流子在表面處的復合。原子氫鈍化是因為硅的表面有大量的懸掛鍵，這些懸掛鍵是載流子的有效復合中心，而原子氫可以中和懸掛鍵，所以減弱了復合。
4、增加背場(chǎng)：如在P型材料的電池中，背面增加一層P+濃摻雜層，形成P+/P的結構，在P+/P的界面就產(chǎn)生了一個(gè)由P區指向P+的內建電場(chǎng)。由于內建電場(chǎng)所分離出的光生載流子的積累，形成一個(gè)以P+端為正，P端為負的光生電壓，這個(gè)光生電壓與晶硅太陽(yáng)能板結構本身的PN結兩端的光生電壓極性相同，從而提高了開(kāi)路電壓Voc。同時(shí)由于背電場(chǎng)的存在，使光生載流子受到加速，這也可以看作是增加了載流子的有效擴散長(cháng)度，因而增加了這部分少子的收集幾率，短路電流Jsc也就得到提高。
5、改善襯底材料：選用優(yōu)質(zhì)硅材料，如N型硅具有載流子壽命長(cháng)、制結后硼氧反應小、電導率好、飽和電流低等。
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